(對(duì)比)西藏高溫臺(tái)車爐(2024更新成功)(今日/說(shuō)明)，河南省國(guó)鼎爐業(yè)有限公司研制、開發(fā)、生產(chǎn)各種高溫窯爐、高溫電爐、實(shí)驗(yàn)電爐、真空氣氛爐、箱式爐、管式電爐、升降爐、立式電爐、井式電爐、臥式電爐、高溫馬弗爐的廠家。
(對(duì)比)西藏高溫臺(tái)車爐(2024更新成功)(今日/說(shuō)明)， 進(jìn)入余熱鍋爐的煙氣溫度，是決定余熱鍋爐受熱面布置形式的一個(gè)重要因素。如進(jìn)口煙氣溫度為400～900℃時(shí)，鍋爐內(nèi)主要設(shè)置對(duì)流管束，不設(shè)置爐室；但煙塵熔化點(diǎn)低時(shí)也有例外，應(yīng)設(shè)置冷卻爐室以控制進(jìn)入對(duì)流煙道的入口煙的溫度，避免灰渣在對(duì)流管排間搭橋。在化工生產(chǎn)的裂解工藝中，為避免高溫裂解氣體的重新聚合，需要將高溫裂解氣體急速冷卻到裂解反應(yīng)停止的溫度，這時(shí)余熱鍋爐就成為不可缺少的急冷工藝設(shè)備。
我們不建議客戶使用易燃易爆和有毒的氣體，如果客戶工藝原因確實(shí)需要使用易燃易爆和有毒氣體，請(qǐng)客戶自行做好相關(guān)防護(hù)和防爆措施。由于使用易燃易爆和有毒氣體而造成的相關(guān)問(wèn)題，本概不負(fù)責(zé)。8%內(nèi)，不可與中頻高頻等高磁場(chǎng)發(fā)生設(shè)備共用供電網(wǎng)，遠(yuǎn)離中頻設(shè)備，防止空間電磁輻射。如果同一供電回路存在中、高頻設(shè)備，或者大型感性負(fù)載，應(yīng)在供電回路加入適當(dāng)?shù)碾娍构駷V波，配置電容柜自動(dòng)補(bǔ)償，諧波檢測(cè)和治理，對(duì)設(shè)備進(jìn)行電磁隔離處理，否則可能導(dǎo)致加熱爐工作不穩(wěn)定甚至損壞！此類問(wèn)題導(dǎo)致加熱爐故障或損壞不屬于保修范圍。
(對(duì)比)西藏高溫臺(tái)車爐(2024更新成功)(今日/說(shuō)明)， 熱加工、工業(yè)工件處理、水泥、建材行業(yè),進(jìn)行小型工件的熱加工或處理。醫(yī)藥行業(yè)：用于藥品的檢驗(yàn)、樣品的預(yù)處理等。分析化學(xué)行業(yè)：作為水質(zhì)分析、環(huán)境分析等領(lǐng)域的樣品處理。也可以用來(lái)進(jìn)行石油及其分析。煤質(zhì)分析：用于測(cè)定水分、灰分、揮發(fā)分、灰熔點(diǎn)分析、灰成分分析、元素分析。也可以作為通用灰化爐使用。
添加圖片注釋，不超過(guò) 140 字（可選）現(xiàn)階段,超高溫退火設(shè)備由于技術(shù)難度較高,相關(guān)設(shè)備仍主要依靠進(jìn)口,國(guó)產(chǎn)化設(shè)備逐步在打開市場(chǎng)空間,主要的設(shè)備廠商包括:德國(guó)Centrotherm、日本東橫化學(xué)、JTEKT Thermo Systems、北方華創(chuàng)、中國(guó)電科48所和拉普拉斯等。國(guó)內(nèi)應(yīng)用較為成熟的設(shè)備有北方華創(chuàng)的SiC-VERIC系列高溫爐、中國(guó)電科48所的R2120-3/UM等。北方華創(chuàng)在8 吋及以下半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域擁有多年的經(jīng)驗(yàn)，其量產(chǎn)型SiC高溫氧化/退火爐，可覆蓋擴(kuò)散、氧化、退火、Poly、SiO2/SiNTEOS等工藝，設(shè)備性能業(yè)內(nèi)，已在國(guó)內(nèi)多條主流生產(chǎn)線上量產(chǎn)應(yīng)用。例如，SiC-VERIC 系列高溫爐，適用于 SiC 基功率器件制造中的高溫工藝環(huán)節(jié)。為實(shí)現(xiàn) SiC 晶圓片在高溫 環(huán)境下完成柵氧制備和離子激活工藝,SiC-VERIC系列高溫氧化爐和退火爐,均采用立式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),加熱腔與工藝腔獨(dú)立雙真空,保證了工藝腔的氣密性和潔凈度，腔室溫度分布均勻，工藝氣流均勻穩(wěn)定，可獲得優(yōu)異的工藝效果。
(對(duì)比)西藏高溫臺(tái)車爐(2024更新成功)(今日/說(shuō)明)， 由于感應(yīng)加熱的中頻加熱爐、透熱爐、圓鋼調(diào)質(zhì)加熱等采用電磁加熱自身加熱，加熱速度非?？?、加熱溫度均勻，因此可以盡可能地減少加熱金屬吸收有害氣體，如氧、氫、氮?dú)獾葰怏w，減少氧化、減少燒損、脫碳或氫脆等缺陷，提高加熱質(zhì)量、降低原材料損耗。由于感應(yīng)加熱的中頻加熱爐、透熱爐、圓鋼調(diào)質(zhì)加熱等加熱溫度均勻，可以保證芯表和軸向溫差符合熱加工工藝要求。因此，感應(yīng)加熱在低溫加熱階段，可以防止因加熱不當(dāng)而使金屬截面的外層與心部產(chǎn)生過(guò)大的溫差，以致造成過(guò)大的熱應(yīng)力，再疊加其它內(nèi)應(yīng)力，引起材料破裂。感應(yīng)加熱的中頻加熱爐、透熱爐、圓鋼調(diào)質(zhì)加熱等可以準(zhǔn)確實(shí)施給定的加熱規(guī)范和熱加工工藝，如加熱溫度、速度、時(shí)間和保溫等加熱條件，以防產(chǎn)生過(guò)熱、過(guò)燒等缺陷。
電石爐主要是依靠電弧高溫把生石灰和含碳原料(焦炭、無(wú)煙煤或石油焦) 熔化并反應(yīng)生成電石的一種設(shè)備。
(對(duì)比)西藏高溫臺(tái)車爐(2024更新成功)(今日/說(shuō)明)， 、SiC 晶圓制造設(shè)備在制程上, SiC芯片大部分的工藝流程與硅基器件類似,主要涉及清洗機(jī)、光刻機(jī)、LPCVD (低壓化學(xué)氣相沉積)、蒸鍍等常規(guī)設(shè)備,但SiC芯片制備還需要一些特殊的生產(chǎn)設(shè)備,除了高溫離子注入機(jī)外, SiC還需要特殊的高溫?zé)崽幚碓O(shè)備(高溫退火爐、高溫氧化爐、碳膜濺射儀等),而且在刻蝕、減薄等環(huán)節(jié)也需要特殊設(shè)備。添加圖片注釋，不超過(guò) 140 字（可選）中國(guó)電科48所是國(guó)內(nèi)擁有SiC核心工藝設(shè)備全的單位,在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了外延、高溫離子注入、高溫氧化、高溫激活爐、碳膜濺射設(shè)備、LPVCD以及退火設(shè)備等設(shè)備研發(fā)及驗(yàn)證應(yīng)用，并形成成套應(yīng)用態(tài)勢(shì)。此外，他們還通過(guò)整合中國(guó)電科集團(tuán)其他裝備的技術(shù),并結(jié)合之前的8時(shí)硅基整線建設(shè)經(jīng)驗(yàn),正在實(shí)現(xiàn)從提供局部成套設(shè)備到提供 SiC芯片制造整線集成服務(wù)的布局。