我司主營場效應管，二極管，三極管，穩(wěn)壓電路，晶閘管，可控硅等半導體元器件，超過8種封裝如：SOT-23，SOT-23-3L，SOT-23-5L，SOT-23-6L，TO-252，TO-251，SOT-89，SOT-223等。產(chǎn)品廣泛應用于移動通信，計算機，電源，節(jié)能燈，玩具，儀器儀表，家用電器，工業(yè)自動化設備等領域，且可承接OEM / ODM定制。我司獲得多項國家實用新型專利和軟件著作權，為響應世界環(huán)保機構的倡導，保護全球日益嚴重的生態(tài)環(huán)境，從瑞士，日本，俄羅斯，等地采購質量的原材料和先進的生產(chǎn)設備，嚴格控制原材料的來源、生產(chǎn)過程等各個環(huán)節(jié)，先后通過了歐盟REACH-SVHC 211項環(huán)保檢測...

書上說，MOS管的主要作用是放大。不過實際在智能硬件產(chǎn)品開發(fā)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開發(fā)中，幾乎沒有用到放大用的MOS管，絕大部分是用來做開關的。偶爾有些放大作用的MOS管，也是集成在芯片里面的?？梢院敛豢鋸埖闹v，只要不是做IC設計的，幾乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出來的MOS放大電路，性能不可能有專業(yè)芯片公司做的好的。MOS管在常用的數(shù)字電路板上的用法：用作開關的時候，不管是N-MOS還是P-MOS，記住一句話即可：VGS有電壓差，MOS管就導通。VGS沒有電壓差，MOS管就關閉。MOS管常見的主要用途有以下幾種負極開關（N-MOS）：設備控制LED燈控制電路馬達控制電路N-MOS廣泛應用...

盟科電子中低壓MOS管很有優(yōu)勢，選型上電壓從20V-100V，電流從2A-50A等。用于消費類市場，如MK2301 MK2302 MK3400 MK3401這些為耐壓20V 30V的MOS管，成本低，用作開關，調檔。小風扇，電動玩具，按摩器，安防市場等。外觀選型上，小體積的有SOT-23、SOT-23-3L、SOT-23-6L，大體積的有TO-252。本司晶圓大多選用進口芯片，十幾年的封裝經(jīng)驗使得我們的產(chǎn)品質量穩(wěn)定，依靠我們的MES制造執(zhí)行系統(tǒng)，讓我們的制程更加可控。公司產(chǎn)品可以完美匹配AO萬代，SI威世，LRC樂山無線電，長晶科技等，歡迎客戶索要樣品測試，我們將竭誠為您服務。絕緣柵場效應管（...

當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel。當電壓差超過閾值電壓時，channel就出現(xiàn)了。MOS電容：（A）未偏置（VBG=0V），（B）反轉（VBG=3V），（C）積累（VBG=-3V）。正是當MOS電容的GATE相對于backgate是負電壓時的情況。電場反轉，往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了，這個器件被認為是處于accumulation狀態(tài)了。MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate，電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source，另一個稱為drain。假設sou...

表示柵源極間PN結處于正偏時柵極電流的方向。P溝道結型場效應管除偏置電壓的極性和載流子的類型與N溝道結型場效應管不同外，其工作原理完全相同。絕緣柵型場效應管（MOS管）中，目前常用的是以二氧化硅SiO2作為金屬鋁柵極和半導體之間的絕緣層，簡稱MOS管。它有N溝道和P溝道兩類，而每一類又分增強型和耗盡型兩種。所謂增強型就是UGS=0時，漏源之間沒有導電溝道，即使在漏源之間加上一定范圍內(nèi)的電壓，也沒有漏極電流；反之，在UGS=0時，漏源之間存在有導電溝道的稱為耗盡型。N溝道增強型MOS管是一塊雜質濃度較低的P型硅片作為襯底B，在其中擴散兩個N+區(qū)作為電極，分別稱為源極S和漏極D。半導體表面...

1、MOS三個極怎么識別判斷2、寄生二極管我們看到D極和S極之間存在著一個二極管，這個二極管叫寄生二極管。MOS的寄生二極管怎么來的呢?翻開大學里的模擬電路書里面并沒有寄生二極管的介紹。在網(wǎng)上查了一番資料才知道，它是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結構，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結構，所以沒有這個二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯...

MOS場效應半導體三極管雙極性三極管是電流控制器件，其輸入電阻不夠高，在許多場合下不能滿足人們的要求，經(jīng)過不斷的探索和實踐，人們研制出一種仍具有PN結，但工作機理全然不同的新型半導體器件--場效應管(FET)。場效應三極管用電場效應來控制電流，故此命名，它的特點是輸入阻抗高、噪音低、熱穩(wěn)定性好且抗幅射能力強，在工藝上便于集成，因此得到很廣的應用。根據(jù)結構和原理的不同，場效應三極管可分為以下兩大類。①結型場效應三極管(JFET)。②絕緣柵型場效應三極管(MOS管)結型場效應管。（JFET）以N溝道結型場效應管為例，以一塊N型(多子為電子)半導體作基片，在它的兩側各光刻出一塊區(qū)域，進行高濃...

低壓MOS場效應管MK31015P采用先進的溝槽技術和設計，以提供低柵電荷的優(yōu)良RDS(ON)。它可以用于各種各樣的應用。一般特征：VDS=-30V,ID=-50A,RDS(ON)<20mΩ@10VRdson高密度電池設計充分表征雪崩電壓和電流穩(wěn)定性好，均勻性好，EAS高優(yōu)異的散熱包裝應用程序：負荷開關電池保護比較大額定值(TC=25℃，除非另有說明)：漏源電壓：-30v柵源電壓：±20v漏電流連續(xù)：-50a漏電流連續(xù)(TC=100℃)：脈沖漏電流：-150a比較大功耗,工作結和儲存溫度范圍：-55~150℃：盟科電子產(chǎn)品場效應管主要適用于：開關電源、報警器、控制器、安定器、電表、電動...

當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel。當電壓差超過閾值電壓時，channel就出現(xiàn)了。MOS電容：（A）未偏置（VBG=0V），（B）反轉（VBG=3V），（C）積累（VBG=-3V）。正是當MOS電容的GATE相對于backgate是負電壓時的情況。電場反轉，往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了，這個器件被認為是處于accumulation狀態(tài)了。MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate，電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source，另一個稱為drain。假設sou...

以上的MOS開關實現(xiàn)的是信號切換(高低電平的切換)，那么MOS在電路中要實現(xiàn)開關作用應該滿足什么條件呢?還有前面提過MOS管接入電路哪個極接輸入哪個極接輸出(提示：寄生二極管是關鍵)?我們先看MOS管做開關時在電路的接法。想一想為什么是這樣接呢?反過來接行不行?那是不行的。就拿NMOS管來說S極做輸入D極做輸出，由于寄生二極管直接導通，因此S極電壓可以無條件到D極，MOS管就失去了開關的作用，同理PMOS管反過來接同樣失去了開關作用。接下來談談MOS管的開關條件，我們可以這么記，不論是P溝道還是N溝道，G極電壓都是與S極電壓做比較：N溝道：UG>US時導通。(簡單認為)UG=US時截止...

一、半導體二極管1、英文縮寫：D(Diode)，電路符號是2、半導體二極管的分類分類：a按材質分：硅二極管和鍺二極管；b按用途分：整流二極管，檢波二極管，穩(wěn)壓二極管，發(fā)光二極管，光電二極管，變?nèi)荻O管。3、半導體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如：D5表示編號為5的半導體二極管。4、半導體二極管的導通電壓是:a;硅二極管在兩極加上電壓,并且電壓大于.B;鍺二極管在兩極加上電壓,并且電壓大于.5、半導體二極管主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很?。欢诜聪螂妷鹤饔孟聦娮铇O大或無窮大。6、半導體二極管可分為整流、檢波、發(fā)光、光電、變?nèi)莸茸饔谩?、半導體二極管的...

MOS場效應半導體三極管雙極性三極管是電流控制器件，其輸入電阻不夠高，在許多場合下不能滿足人們的要求，經(jīng)過不斷的探索和實踐，人們研制出一種仍具有PN結，但工作機理全然不同的新型半導體器件--場效應管(FET)。場效應三極管用電場效應來控制電流，故此命名，它的特點是輸入阻抗高、噪音低、熱穩(wěn)定性好且抗幅射能力強，在工藝上便于集成，因此得到廣的應用根據(jù)結構和原理的不同，場效應三極管可分為以下兩大類。①結型場效應三極管(JFET)②絕緣柵型場效應三極管(MOS管)結型場效應管（JFET）以N溝道結型場效應管為例，以一塊N型(多子為電子)半導體作基片，在它的兩側各光刻出一塊區(qū)域，進行高濃度P+擴...

2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。(3).焊接用的電烙鐵須要不錯接地。(4).在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分離。(5).MOS器件各引腳的焊接依次是漏極、源極、柵極。拆機時依次相反。(6).電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機械的各接線端子，再把電路板接上來。(7).MOS場效應晶體管的柵極在容許條件下，接入保護二極管。在檢修電路時應留意查明原來的保護二極管是不是損壞。JK9610A型功率場效應管測試儀：是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場效應管參數(shù)測試設備，可用于標稱電流約在2-85A，功率在300W以內(nèi)的N溝導和...

通常拆封后烘烤方式來去除板內(nèi)濕氣，烘烤條件為110～120℃，1h。(**長時間不要超過h)?；鸢逭婵瞻b前后之存放條件:溫度<30℃，相對濕度<60%.真空包裝后有效保存時間半年。儲存時間超過六個月時，為了避免板材儲藏濕氣造成爆板,通常拆封后用烘烤方式來去除板內(nèi)濕氣，烘烤條件為120℃，1h。(**長時間不要超過2h)。噴錫板真空包裝前后之存放條件：溫度<25℃,相對濕度<60%.真空包裝后有效保存時間一年。儲存時間超過六個月時，為了避免板材儲藏濕氣造成爆板,通常拆封后用烘烤方式來去除板內(nèi)濕氣,烘烤條件為120℃，1h。(**長時間不要超過h)。PCB污染造成虛焊及預防：PCB板在...

2)交流參數(shù)低頻跨導gm它是描述柵、源電壓對漏極電流的控制效用。極間電容場效應管三個電極之間的電容，它的值越小表示管子的性能越好。(3)極限參數(shù)漏、源擊穿電壓當漏極電流急遽上升時，產(chǎn)生雪崩擊穿時的UDS。柵極擊穿電壓結型場效應管正常工作時，柵、源極之間的PN結處于反向偏置狀況，若電流過高，則產(chǎn)生擊穿現(xiàn)象。本站鏈接:場效應管的參數(shù)查詢二：場效應管的特征場效應管具備放大功用，可以構成放大電路，它與雙極性三極管相比之下具以下特征：（1）場效應管是電壓控制器件，它通過UGS來操縱ID；（2）場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很高；（3）它是運用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（...

盟科電子中低壓MOS管很有優(yōu)勢，選型上電壓從20V-100V，電流從2A-50A等。用于消費類市場，如MK2301 MK2302 MK3400 MK3401這些為耐壓20V 30V的MOS管，成本低，用作開關，調檔。小風扇，電動玩具，按摩器，安防市場等。外觀選型上，小體積的有SOT-23、SOT-23-3L、SOT-23-6L，大體積的有TO-252。本司晶圓大多選用進口芯片，十幾年的封裝經(jīng)驗使得我們的產(chǎn)品質量穩(wěn)定，依靠我們的MES制造執(zhí)行系統(tǒng)，讓我們的制程更加可控。公司產(chǎn)品可以完美匹配AO萬代，SI威世，LRC樂山無線電，長晶科技等，歡迎客戶索要樣品測試，我們將竭誠為您服務。對于環(huán)境變化較大...

TO-252封裝線主要做一些功率mos管，三極管和穩(wěn)壓干，LDO。功率MOS從電壓20V 30V 40V 60V 100V 到650V，電流從10A 20A 30A 40A 到100A。深圳市盟科電子科技有限公司型號MK30N06參數(shù)穩(wěn)定，溝槽工藝，電壓達60V以上，RDON在30毫歐以內(nèi)，使用時發(fā)熱小，產(chǎn)品通過SGS認證，包括鹵素，ROHS還有REACH。主要應用于車燈控制，電源開關等。同系列還有更大的電流如MK50N06，MK80N06，用于一些更高功率的電路上。公司以ISO9001為質量體系，結合生產(chǎn)智能執(zhí)行MES系統(tǒng)，流程可控，品質保證。提供售前支持，售中跟進，售后保障。歡迎合作洽談。...

按材質分可分成結型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分成耗盡型和增強型，一般主板上大都是絕緣柵型管簡稱ＭＯＳ管，并且大都使用增強型的Ｎ溝道，其次是增強型的Ｐ溝道，結型管和耗盡型管幾乎不須。五主板上用的場效應管的屬性：1、工作條件：Ｄ極要有供電，Ｇ極要有控制電壓2、主板上的場管Ｎ溝道多，Ｇ極電壓越高，Ｓ極輸出電壓越高3、主板上的場管Ｇ極電壓達到12Ｖ時，ＤＳ全然導通，個別主板上5Ｖ導通4、場管的ＤＳ機能可對調Ｎ溝道場管的導通截止電壓：導通條件：ＶＧ>ＶＳ，ＶＧＳ=Ｖ時，處于導通狀況，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大截止條件：ＶＧＳ，ＩＤ并未電流或有很小的電流1、測量極性及管型判斷紅筆接Ｓ、黑筆接Ｄ值為（3...

場效應管測試儀儀器主要用以功率場效應管和IGBT的質量檢驗、參數(shù)的配對及其它電子電子元件的耐壓測試之用。儀器分N溝導型測試儀和P溝導型測試儀兩種。耐壓測試儀方法特性：是按照IEC、ISO、BS、UL、JIS等國內(nèi)、國際的安全基準而設計，是交流安全通用測試儀器，合適家電及低壓電器的安全測試。測試電壓和漏電流使用4位LED數(shù)碼管顯示，測試時間使用2位LED數(shù)碼管顯示。漏電流值由粗調和細調旋鈕調節(jié)。漏電流超差時自動切斷測試電壓，并發(fā)出聲光報警信號。有外控端子。臣式機箱、塑料面框、外形新穎美觀。主要技術參數(shù)：測試電壓：AC0～5KV。測試電壓誤差：低于3％。測試電壓波形：50Hz市電正弦波。輸...

MOS場效應半導體三極管雙極性三極管是電流控制器件，其輸入電阻不夠高，在許多場合下不能滿足人們的要求，經(jīng)過不斷的探索和實踐，人們研制出一種仍具有PN結，但工作機理全然不同的新型半導體器件--場效應管(FET)。場效應三極管用電場效應來控制電流，故此命名，它的特點是輸入阻抗高、噪音低、熱穩(wěn)定性好且抗幅射能力強，在工藝上便于集成，因此得到廣的應用根據(jù)結構和原理的不同，場效應三極管可分為以下兩大類。①結型場效應三極管(JFET)②絕緣柵型場效應三極管(MOS管)結型場效應管（JFET）以N溝道結型場效應管為例，以一塊N型(多子為電子)半導體作基片，在它的兩側各光刻出一塊區(qū)域，進行高濃度P+擴...

場效應管是只要一種載流子參與導電，用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結型場效應三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導體三極管MOSFET。MOS場效應管有增強型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導電類型。場效應管有三個電極：D(Drain)稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極；G(Gate)稱為柵極，相當于雙極型三極管的基極；S(Source)稱為源極，相當于雙極型三極管的發(fā)射極。增強型MO...

以上的MOS開關實現(xiàn)的是信號切換(高低電平的切換)，那么MOS在電路中要實現(xiàn)開關作用應該滿足什么條件呢?還有前面提過MOS管接入電路哪個極接輸入哪個極接輸出(提示：寄生二極管是關鍵)?我們先看MOS管做開關時在電路的接法。想一想為什么是這樣接呢?反過來接行不行?那是不行的。就拿NMOS管來說S極做輸入D極做輸出，由于寄生二極管直接導通，因此S極電壓可以無條件到D極，MOS管就失去了開關的作用，同理PMOS管反過來接同樣失去了開關作用。接下來談談MOS管的開關條件，我們可以這么記，不論是P溝道還是N溝道，G極電壓都是與S極電壓做比較：N溝道：UG>US時導通。(簡單認為)UG=US時截止...

就叫此極為公共極。注：交流信號從基極輸入，集電極輸出，那發(fā)射極就叫公共極。交流信號從基極輸入，發(fā)射極輸出，那集電極就叫公共極。交流信號從發(fā)射極輸入，集電極輸出，那基極就叫公共極。7、用萬用表判斷半導體三極管的極性和類型(用指針式萬用表).a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位.b;判別半導體三極管基極：用萬用表黑表筆固定三極管的某一個電極，紅表筆分別接半導體三極管另外兩各電極，觀察指針偏轉，若兩次的測量阻值都大或是都小，則改腳所接就是基極（兩次阻值都小的為NPN型管，兩次阻值都大的為PNP型管），若兩次測量阻值一大一小，則用黑筆重新固定半導體三極管一個引腳極繼續(xù)測量，直到找到基極。c;...

1、MOS三個極怎么識別判斷2、寄生二極管我們看到D極和S極之間存在著一個二極管，這個二極管叫寄生二極管。MOS的寄生二極管怎么來的呢?翻開大學里的模擬電路書里面并沒有寄生二極管的介紹。在網(wǎng)上查了一番資料才知道，它是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結構，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結構，所以沒有這個二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯...

另一部分虛焊焊點往往在一年甚至更長的時間才出現(xiàn)開路的現(xiàn)象，使產(chǎn)品停止工作，造成損失。虛焊有其隱蔽性、故障出現(xiàn)的偶然性以及系統(tǒng)崩潰損失的重大性，不可忽視。研究虛焊的成因，降低其危害，是我國從電子制造大國向電子制造強國發(fā)展必須重視的重要課題。導致虛焊的原因大致分為幾個方面：1）元器件因素；2）基板（通常為PCB）因素；3）助焊劑、焊料因素；四、工藝參數(shù)及其他因素。下面進行詳細分析。1元器件因素引起的虛焊及其預防元器件可焊部分的金屬鍍層厚度不夠、氧化、污染、變形都可造成虛焊的結果。可焊部分的金屬鍍層厚度不夠通常元器件可焊面鍍有一定厚度的、銀白色的、均勻的易焊錫層，如果鍍層太薄或者鍍層不均勻，...

這時黑表筆接的是二極管的負極,紅表筆接的是二極管的正極.c;測試注意事項：用數(shù)字式萬用表去測二極管時，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負極，此時測得的阻值才是二極管的正向導通阻值，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。8、變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部“PN結”的結電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設計出來的一種特殊二極管。變?nèi)荻O管在無繩電話機中主要用在手機或座機的高頻調制電路上，實現(xiàn)低頻信號調制到高頻信號上，并發(fā)射出去。在工作狀態(tài)，變?nèi)荻O管調制電壓一般加到負極上，使變?nèi)荻O管的內(nèi)部結電容容量隨調制電壓的變化而變化。變?nèi)荻O管發(fā)生故障，主要表現(xiàn)為漏電或性能變差：（1）...

當然測量時表筆要交換一下測兩次，比較讀數(shù)后才能***判定。這個方法適用于所有外形的三極管，方便實用。根據(jù)表針的偏轉幅度，還可以估計出管子的放大能力，當然這是憑經(jīng)驗的。c;第三種方法：先判定管子的NPN或PNP類型及其b極后，將表置于R×10kΩ檔，對NPN管，黑表筆接e極，紅表筆接c極時，表針可能會有一定偏轉，對PNP管，黑表筆接c極，紅表筆接e極時，表針可能會有一定的偏轉，反過來都不會有偏轉。由此也可以判定三極管的c、e極。不過對于高耐壓的管子，這個方法就不適用了。對于常見的進口型號的大功率塑封管，其c極基本都是在中間（我還沒見過b在中間的）。中、小功率管有的b極可能在中間。比如常用...

書上說，MOS管的主要作用是放大。不過實際在智能硬件產(chǎn)品開發(fā)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開發(fā)中，幾乎沒有用到放大用的MOS管，絕大部分是用來做開關的。偶爾有些放大作用的MOS管，也是集成在芯片里面的?？梢院敛豢鋸埖闹v，只要不是做IC設計的，幾乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出來的MOS放大電路，性能不可能有專業(yè)芯片公司做的好的。MOS管在常用的數(shù)字電路板上的用法：用作開關的時候，不管是N-MOS還是P-MOS，記住一句話即可：VGS有電壓差，MOS管就導通。VGS沒有電壓差，MOS管就關閉。MOS管常見的主要用途有以下幾種負極開關（N-MOS）：設備控制LED燈控制電路馬達控制電路N-MOS廣泛應用...

表示柵源極間PN結處于正偏時柵極電流的方向。P溝道結型場效應管除偏置電壓的極性和載流子的類型與N溝道結型場效應管不同外，其工作原理完全相同。絕緣柵型場效應管（MOS管）中，目前常用的是以二氧化硅SiO2作為金屬鋁柵極和半導體之間的絕緣層，簡稱MOS管。它有N溝道和P溝道兩類，而每一類又分增強型和耗盡型兩種。所謂增強型就是UGS=0時，漏源之間沒有導電溝道，即使在漏源之間加上一定范圍內(nèi)的電壓，也沒有漏極電流；反之，在UGS=0時，漏源之間存在有導電溝道的稱為耗盡型。N溝道增強型MOS管是一塊雜質濃度較低的P型硅片作為襯底B，在其中擴散兩個N+區(qū)作為電極，分別稱為源極S和漏極D。半導體表面...

1、MOS三個極怎么識別判斷2、寄生二極管我們看到D極和S極之間存在著一個二極管，這個二極管叫寄生二極管。MOS的寄生二極管怎么來的呢?翻開大學里的模擬電路書里面并沒有寄生二極管的介紹。在網(wǎng)上查了一番資料才知道，它是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結構，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結構，所以沒有這個二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯...