遼寧雙摻CeYAG晶體規(guī)格

鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出快衰減等閃爍特征，是今后無機(jī)閃爍晶體的一個(gè)重要發(fā)展方向。目前我國(guó)對(duì)閃爍晶體的研究主要集中在低熔點(diǎn)的閃爍晶體上，而且中科院上海硅酸鹽研究所和北京玻璃研究所等單位在BGO，PWO，CsI:Tl，BaF2等晶體的研究和開發(fā)上在國(guó)際上占有一席之地，為發(fā)展我國(guó)的無機(jī)閃爍晶體產(chǎn)業(yè)作了大量的工作。但是，對(duì)于具有廣泛應(yīng)用前景的高光輸出快衰減高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體的研究，在國(guó)內(nèi)尚不成氣候，同時(shí)也未見詳細(xì)的報(bào)道。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？遼寧雙摻CeYAG晶體規(guī)格

Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce:YAG晶體，屬于無機(jī)閃爍晶體的一種。無機(jī)閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉(zhuǎn)化為紫外光或可見光的晶體能量轉(zhuǎn)換器。由無機(jī)閃爍晶體、光電倍增管或硅光電二極管以及后續(xù)的電子器件組成的閃爍探測(cè)器，可以將肉眼不可見的微觀射線或粒子轉(zhuǎn)化為可顯示的信號(hào)或圖像，供人們分析處理。所以閃爍探測(cè)器充當(dāng)了人們認(rèn)識(shí)微觀世界的“眼睛”。一百多年前，康拉德倫琴(Conrad Reentgen)使用CaWO4作為X射線熒光屏，這是頭1個(gè)使用無機(jī)閃爍材料的例子。山東CeYAG晶體作用閃爍晶體是在高能射線的前提下形成的。

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無機(jī)閃爍晶體山東專業(yè)加工CeYAG晶體用溫梯法成功生長(zhǎng)了直徑為 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 閃爍晶體，晶體具有良好的外形和光學(xué)性質(zhì)。

一種生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法技術(shù)，坩堝下降法生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學(xué)式為：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A為L(zhǎng)u、Tb、Pr、La、Gd中的一種；B為Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一種。晶體生長(zhǎng)爐溫范圍1900～2000℃，坩堝下降方向固液界面的溫度梯度為10～50℃/cm，坩堝下降速率為0.1～5mm/h，籽晶可采用等方向，坩堝直徑為30～120mm，高度為50～200mm。本發(fā)明專利技術(shù)采用坩堝下降法具有操作簡(jiǎn)單，成本低，生長(zhǎng)的CeYAG晶體體積大、內(nèi)部缺陷少、摻雜濃度高等優(yōu)點(diǎn)。無機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半個(gè)世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。

ce : YAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。此外，Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動(dòng)能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。遼寧雙摻CeYAG晶體規(guī)格

CeYAG晶體在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。遼寧雙摻CeYAG晶體規(guī)格

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點(diǎn)是其發(fā)光中心波長(zhǎng)為550nm，可以與硅光二極管等探測(cè)設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間（約70ns，而CsI衰減時(shí)間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，主要應(yīng)用在輕粒子探測(cè)、α粒子探測(cè)、gamma射線探測(cè)等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測(cè)成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)?。s為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長(zhǎng)難度急劇增加。遼寧雙摻CeYAG晶體規(guī)格

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